ООО ЭЛТОМ
+ 7 (3842)288-977, 287-737
|
Переход на мобильную версию сайта г. Кемерово пр.Кузнецкий дом 32 |
Корзина
0 товаров, 0.00 руб. |
Описание товара
IGB10N60T маркировка G10T60 — описание:Транзисторы IGBT смотреть описание производителя
Корпус: TO-263-3
Вид монтажа: SMD/SMT
Конфигурация: одиночный
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.5 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 24 A
Pd - рассеивание мощности: 110 W
Минимальная рабочая температура: - 40 C
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA
Наличие:
Покупка: |